[发明专利]一种集成光耦合器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种集成光耦合器件及其制作方法，所述集成光耦合器件包括：背衬底；形成于所述背衬底上的埋氧层；形成于所述埋氧层上的顶层硅；所述顶层硅包括分立设置的第一硅岛及第二硅岛；形成于所述第一硅岛上的光发射器；形成于所述第二硅岛中的光接收器。本发明的集成光耦合器件及其制造方法可以实现光发射器与光接收器集成于同一绝缘衬底上，减少了器件在封装中的接合线，降低了噪声信号。同时，集成光耦合器件器件尺寸极小，甚至可用于芯片内电学隔离，也免去了封装的光学对准，提高了生产效率，降低了成本。

主权项

1.一种集成光耦合器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：提供一自下而上依次包括背衬底、埋氧层及顶层硅的SOI衬底，所述顶层硅为111晶向；S2：在所述顶层硅的第一预设区域上形成光发射器，在所述顶层硅的第二预设区域中形成光接收器；S3：刻蚀所述顶层硅以将所述第一预设区域与第二预设区域隔离开，得到分立设置的第一硅岛及第二硅岛，其中，所述步骤S2包括：S2‑1：在所述顶层硅表面形成二氧化硅介质薄膜；S2‑2：采用离子注入法在所述顶层硅的第二预设区域中形成光接收器；S2‑3：在所述二氧化硅介质薄膜中形成暴露出所述顶层硅的第一预设区域的开口；S2‑4：在所述顶层硅的第一预设区域上形成光发射器。