[发明专利]无胺CMP后组合物及其使用方法有效
| 申请号： | 201610274374.1 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN105869997A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·A·巴尼斯;刘俊;张鹏 | 申请（专利权）人： | 安格斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C11D3/04;C11D3/43;C11D7/06;C11D7/50;C11D11/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨青;缑正煜 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及无胺CMP后组合物及其使用方法。具体而言，本发明涉及从其上具有化学机械抛光(CMP)后残留物和污染物的微电子器件上清洁所述残留物和污染物的清洁组合物和方法。所述清洁组合物基本不含胺和含铵化合物如季铵碱。所述组合物实现了从所述微电子器件的表面高度有效地清洁所述CMP后残留物和污染材料，而不会损害低‑k介电材料或铜互连材料。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 组合 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
从其上具有化学机械抛光后(CMP后)残留物和污染物的微电子器件除去所述CMP后残留物和污染物的方法，所述方法包括使所述微电子器件与清洁组合物接触足够的时间，以从所述微电子器件至少部分地清洁所述CMP后残留物和污染物，其中所述清洁组合物包括至少一种碱性盐、至少一种有机溶剂、至少一种络合剂和水，其中所述清洁组合物基本不含胺和含铵盐。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
