[发明专利]包括场效应晶体管的开关及集成电路有效
| 申请号： | 201610274648.7 | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN106098773B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | A·迈泽尔;T·施勒塞尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H03K17/687 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种开关(2)，该开关(2)包括位于具有第一主表面(110)的半导体衬底(100)中的场效应晶体管(200)。开关(2)包括：源极区(201)；漏极区(205)；主体区(220)；以及位于主体区处的栅极电极(210)，所述栅极电极(210)设置成能够控制在主体区内形成的沟道的导电性，栅极电极布置在栅极沟槽(212)内。主体区沿着第一方向布置在源极区与漏极区(205)之间，第一方向与第一主表面平行。主体区(220)具有沿着第一方向延伸的凸脊形状。主体区与源极区(201)紧邻并且与漏极区(205)紧邻。开关(2)还包括源极接触部和主体接触部(225)，源极接触部电连接到源极端子(271)。主体接触部(225)与源极接触部(202)接触并且电连接到主体区(220)。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 场效应 晶体管 开关 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种开关（2），所述开关（2）包括位于具有第一主表面（110）的半导体衬底（100）中的场效应晶体管（200），所述开关（2）包括：源极区（201）；漏极区（205）；布置于漏极接触沟槽内的漏极接触部（206），所述漏极接触沟槽形成在所述第一主表面（110）内，所述漏极区（205）紧邻所述漏极接触部（206）；主体区（220）；以及位于所述主体区（220）处的栅极电极（210），所述栅极电极（210）设置成能够控制在所述主体区（220）内形成的沟道的导电性，所述栅极电极（210）布置在栅极沟槽（212）内，所述主体区（220）沿着第一方向布置在所述源极区（201）与所述漏极区（205）之间，所述第一方向与所述第一主表面平行，所述主体区（220）具有沿着所述第一方向延伸的凸脊形状，所述主体区与所述源极区（201）紧邻并且与所述漏极区（205）紧邻，所述开关（2）还包括布置在源极接触沟槽（321）内的源极接触部（202）、以及主体接触部（225），所述源极接触沟槽（321）在所述第一主表面（110）内形成，所述源极接触部（202）电连接到源极端子（271），所述主体接触部（225）与所述源极接触部（202）接触并且电连接到所述主体区（220）。
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