[发明专利]一种具有自保护功能的常通型SiC JFET驱动电路

摘要

本发明所解决的技术问题在于提供一种具有自保护功能的常通型SiC JFET驱动电路。当驱动电源故障导致桥臂直通时，自保护电路中辅助电容放电，在SiC JFET栅源极施加一个负向关断电压，迫使其快速关断，使控制器能够在安全时间范围内切断电源，达到保护的目的。另外，驱动输出采用RCD结构，既可以实现SiC JFET高速开关，又可以抑制密勒电流引起的栅极电压振荡，是一种适用于高速桥臂结构的常通型SiC JFET驱动电路。

主权项

1.一种具有自保护功能的常通型SiC JFET驱动电路，其特征在于，包括桥臂电路、控制器、驱动模块和自保护电路；所述桥臂电路包括顺次连接的直流母线电压UDC、固态开关管S1、上管SiC JFET和下管SiC JFET；所述控制器输入端接驱动信号，输出端与驱动模块输入端相连；所述驱动模块包括驱动芯片和RCD输出网络，所述驱动芯片和RCD输出网络串联连接后一端与控制器输出端相连，另一端与下管SiC JFET的栅极相连；所述自保护电路包括电源监测模块、预充电模块、MOSFET开关管Q3和二极管D3；所述电源监测模块包括驱动电源Uee、电阻R4～R7、光耦M1、光耦M2和稳压管Z1；所述电阻R6一端接光耦M2正向输入端，另一端接驱动电源Uee；电阻R7一端接光耦M2反向输入端并和稳压管Z1阴极相连，另一端接驱动电源Uee；电阻R4一端接光耦M2输出端，另一端接光耦M1反向输入端；电阻R5一端与光耦M1输出端相连，另一端与MOSFET开关管Q3栅极相连；MOSFET开关管Q3的漏极与二极管D3的阴极相连，MOSFET开关管Q3的源极与预充电模块相连；所述二极管D3的阴极连接控制器使能端和驱动芯片使能端，二极管D3的阳极与下管SiC JFET栅极相连。