[发明专利]一种热助场致电子发射阴极结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201610274917.X | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN105869967B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 佘峻聪;黄志骏;邓少芝;许宁生;陈军 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 张月光 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种热助场致电子发射阴极结构及其制备方法；阴极结构垂直于衬底表面，由顶部尖锥和底部纳米沟道构成；尖锥的锥角为15°～60°，纳米沟道最窄部分的直径或宽度为10～100 nm；阴极结构工作时，纳米沟道限制场发射过程中尖锥产生的焦耳热的传导，使尖锥温度升高，实现热助场发射，提升电子发射性能；纳米沟道电阻所具有的负反馈限流作用，可避免发射体过流击穿；尖锥所具有的热容可避免自身温度过高熔化。本发明所述阴极结构既实现发射体的“自加热”，又可避免高温和大电流引起阴极失效，有利于阴极在低压驱动、高稳定性电子源上的应用。该阴极结构无需加热灯丝，结构简单，容易实现阵列式电子源的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 热助场 致电 发射 阴极 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种热助场致电子发射阴极结构，其特征在于，阴极结构垂直于衬底表面，由顶部尖锥和底部纳米沟道构成；所述纳米沟道为两头宽中间窄的纳米结构。
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