[发明专利]一种半桥结构的全SiC功率半导体模块在审
| 申请号： | 201610275557.5 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN105762121A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 王志超 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启;张宇锋 |
| 地址： | 101111 北京市通*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半桥结构的全SiC功率半导体模块，该全SiC功率半导体模块包括壳体、基板和半桥电路；其中，半桥电路的上、下桥臂各有若干个SiC芯片并联构成；SiC芯片均焊接在基板上；壳体上设置有电极端子，基板与壳体固定连接，半桥电路与电极端子电气连接。本申请的全SiC功率半导体模块具有开关损耗小，热导率高，工作结温高等特点；且该申请将芯片封装成了模块，而不是分立器件，可以使系统小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 sic 功率 半导体 模块 | ||
【主权项】：
一种半桥结构的全SiC功率半导体模块，其特征在于，所述全SiC功率半导体模块包括壳体、基板和半桥电路；所述半桥电路的上、下桥臂各有若干个SiC芯片并联构成；所述SiC芯片均焊接在所述基板上；所述壳体上设置有电极端子，所述基板与所述壳体固定连接，所述半桥电路与所述电极端子电气连接。
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