[发明专利]包括场效应晶体管的半导体器件及制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及包括场效应晶体管的半导体器件及制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括在具有第一主表面的半导体衬底中的场效应晶体管。该场效应晶体管包括源极区域、漏极区域、体区域和在体区域处的栅电极。栅电极被配置用于控制形成在体区域中的沟道的导电性，并且栅电极被设置在栅极沟槽中。体区域沿源极区域和漏极区域之间的第一方向设置，第一方向平行于第一主表面。体区域具有沿第一方向延伸的脊形状，体区域邻近于源极区域和漏极区域。半导体器件进一步包括源极接触和体接触，源极接触电连接到源极端子，体接触电连接到源极接触和体区域。

主权项

1.一种半导体器件，包括在具有第一主表面（110）的半导体衬底（100）中的场效应晶体管（200）的阵列，所述场效应晶体管（200）的阵列包括：源极接触沟槽（321）和漏极接触沟槽（322），均在平行于第一表面的第二方向上伸展，在所述源极接触沟槽（321）中的导电材料形成源极接触（202）并且在所述漏极接触沟槽（322）中的导电材料形成漏极接触（206），所述源极接触沟槽（321）和所述漏极接触沟槽（322）形成在第一主表面（110）内；在所述源极接触沟槽（321）和所述漏极接触沟槽（322）之间延伸的体区域（220）和栅电极结构（210），所述栅电极结构（210）和所述体区域（220）沿第二方向以交替方式布置，电连接到所述源极接触沟槽（321）中的导电材料并邻近于所述体区域（220）的源极区域（201），和直接邻近于所述漏极接触（206）并电连接到所述漏极接触沟槽（322）中的导电材料并且直接邻近于所述体区域（220）的漏极区域（205），以及邻近于所述源极接触沟槽（321）并电连接到所述源极接触沟槽（321）中的所述导电材料的体接触（225）。