[发明专利]带有完全自对准的发射极-硅的BiMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610275892.5 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN106098627B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | F.霍夫曼;D.曼格;A.普里比尔;M.普罗布斯特;S.特根 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8249 | 分类号： | H01L21/8249;H01L27/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;张涛 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开带有完全自对准的发射极‑硅的BiMOS器件及其制造方法。实施例提供用于制造双极结型晶体管的方法。所述方法包括提供第一传导类型的衬底和布置在所述衬底上的层堆叠，其中层堆叠包括布置在所述衬底的表面区上的第一隔离层、布置在第一隔离层上的牺牲层以及布置在牺牲层上的第二隔离层，其中层堆叠包括通过第二隔离层、牺牲层和第一隔离层直到衬底的表面区形成在层堆叠中的窗口。所述方法进一步包括在层堆叠的窗口之内的衬底上提供第一半导体类型的集电极层。所述方法进一步包括在层堆叠的窗口之内的集电极层上提供第二半导体类型的基极层。所述方法进一步包括在层堆叠的窗口之内的基极层上提供发射极层或包括发射极层的发射极层堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 完全 对准 发射极 bimos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造双极结型晶体管的方法，所述方法包括：提供第一传导类型的衬底和布置在所述衬底上的层堆叠，其中层堆叠包括布置在所述衬底的表面区上的第一隔离层、布置在第一隔离层上的牺牲层以及布置在牺牲层上的第二隔离层，其中层堆叠包括通过第二隔离层、牺牲层和第一隔离层直到衬底的表面区形成在层堆叠中的窗口；在层堆叠的窗口之内的衬底上提供第一半导体类型的集电极层；在层堆叠的窗口之内的集电极层上提供第二半导体类型的基极层；在层堆叠的窗口之内的基极层上提供发射极层或包括发射极层的发射极层堆叠，使得获得层堆叠的窗口的过量填注，其中发射极层具有第一半导体类型；以及选择性移除发射极层或发射极层堆叠至少直到第二隔离层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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