[发明专利]用于制造半导体器件的方法、半导体器件和集成电路

摘要

本发明涉及用于制造半导体器件的方法、半导体器件和集成电路。一种半导体器件包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，其均形成在具有第一主表面的半导体衬底中。第一场效应晶体管包括第一源极接触凹槽和第一漏极接触凹槽，其均在平行于第一主表面的第一方向上伸展，其均形成在第一主表面内。第一导电类型的第一源极区域电连接到第一源极接触凹槽中的导电材料，并且第一导电类型的第一漏极区域电连接到第一漏极接触凹槽中的导电材料。第二场效应晶体管包括第二源极接触凹槽和第二漏极接触凹槽，其均在平行于第一主表面的第二方向上伸展，第二方向不同于第一方向，其均形成在第一主表面内。

主权项

一种半导体器件（1），包括第一场效应晶体管（200）和第二场效应晶体管（300），其均形成在具有第一主表面（110）的半导体衬底（100）中，所述第一场效应晶体管（200）包括：第一源极接触凹槽（321）和第一漏极接触凹槽（322），其均在平行于所述第一主表面（110）的第一方向上伸展，其均形成在所述第一主表面（110）内，电连接到所述第一源极接触凹槽（321）中的导电材料的第一导电类型的第一源极区域（201）和电连接到所述第一漏极接触凹槽（322）中的导电材料的第一导电类型的第一漏极区域（205），所述第二场效应晶体管（300）包括：第二源极接触凹槽（521）和第二漏极接触凹槽（522），其均在平行于所述第一主表面（110）的第二方向上伸展，所述第二方向不同于所述第一方向，其均形成在所述第一主表面（110）内，电连接到所述第二源极接触凹槽（521）中的导电材料的第二导电类型的第二源极区域（401）和电连接到所述第二漏极接触凹槽（522）中的导电材料的第二漏极区域（405）。