[发明专利]一种快速估算红外焦平面探测器中光敏元芯片厚度的方法有效
申请号: | 201610275906.3 | 申请日: | 2016-04-29 |
公开(公告)号: | CN105870032B | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 张晓玲;孟庆端;张茉莉;李艳霞;高艳平;张明川;张立文;普杰信 | 申请(专利权)人: | 河南科技大学 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人: | 罗民健 |
地址: | 471000 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 一种快速估算红外焦平面探测器中光敏元芯片厚度的方法;①当光敏元芯片厚度减薄到20µm时,在负电极区域上方出现环带凹陷;②当光敏元芯片厚度减薄到14µm时,除环带凹陷外,在负电极区域两侧出现典型棋盘格屈曲变形模式;③当光敏元芯片厚度减薄到10µm时,除环带凹陷和棋盘格屈曲变形外,在环带凹陷处,与负电极连接的铟柱正上方出现上凸变形;④当光敏元芯片厚度减薄到6µm时,棋盘格屈曲变形的峰谷差进一步增加。本发明有益效果:与现有方法相比,采用本发明快速估算方法具有非接触性、无损性、快速性、准确性的特点,能够满足批量生产需求。 | ||
搜索关键词: | 光敏元芯片 厚度减薄 环带 棋盘格 凹陷 屈曲 红外焦平面探测器 负电极区域 估算 变形 变形模式 非接触性 生产需求 凹陷处 变形的 峰谷差 负电极 快速性 无损性 上凸 铟柱 | ||
【主权项】:
1.一种快速估算红外焦平面探测器中光敏元芯片厚度的方法,所述红外焦平面探测器包括光敏元芯片(3)、铟柱阵列(2)、底充胶(4)和硅读出电路(1),光敏元芯片(3)通过铟柱阵列(2)与硅读出电路(1)互连,底充胶(4)填充在光敏元芯片(3)与硅读出电路(1)之间的夹缝中,光敏元芯片(3)的负电极与硅读出电路(1)的负电极相连,其特征在于:包括以下步骤:步骤一、铟柱选用黏塑性模型,底充胶采用黏弹性Maxwell模型,光敏元芯片、负电极和硅读出电路选用线弹性模型,进行直接耦合场分析;步骤二、将光敏元芯片、互连后的铟柱阵列、底充胶、负电极和硅读出电路的杨氏模量、线膨胀系数、泊松比及密度输入材料模型中,所输入材料参数均随温度发生变化;步骤三、基于等效建模方法建立红外焦平面探测器的结构分析模型:将光敏元芯片、互连后的铟柱阵列、底充胶、负电极和硅读出电路的几何尺寸输入,设定红外焦平面探测器的温度处处均匀、一致,进行瞬态分析,红外焦平面探测器的温度从倒装焊温度开始,经过底充胶固化后,随后降至室温;步骤四、设定非线性大变形分析;设置分析环境的收敛准则;进行运算求解;查看室温下整个红外焦平面探测器法线方向的形变分布及幅度;步骤五、将光敏元芯片的厚度从300微米,以某一步长逐步减薄到4微米,同时保持其余材料的结构尺寸不变,进行模拟分析,分别得到不同光敏元芯片厚度下整个红外焦平面探测器的形变分布及幅度;步骤六、依据模拟结果,提取出光敏元芯片厚度的快速估算依据:①当光敏元芯片厚度减薄到20µm时,在负电极区域上方出现环带凹陷;②当光敏元芯片厚度减薄到14µm时,除环带凹陷外,在负电极区域两侧出现典型棋盘格屈曲变形模式;③当光敏元芯片厚度减薄到10µm时,除环带凹陷和棋盘格屈曲变形外,在环带凹陷处,与负电极连接的铟柱正上方出现上凸变形;④当光敏元芯片厚度减薄到6µm时,棋盘格屈曲变形的峰谷差进一步增加;步骤七、借助光学金相显微镜观测红外焦平面探测器经背减薄工艺后在室温下测得的上表面形变分布特征,对比提取的快速估算依据,快速估算出红外焦平面探测器在背减薄工艺中的光敏元芯片厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造