[发明专利]一种碳化硅半导体元件在审

专利信息
申请号: 201610276586.3 申请日: 2016-04-29
公开(公告)号: CN105895673A 公开(公告)日: 2016-08-24
发明(设计)人: 谢文浩;王华;黄映仪;张剑平 申请(专利权)人: 佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心
主分类号: H01L29/24 分类号: H01L29/24;H01L23/58
代理公司: 北京君华知识产权代理事务所(普通合伙) 11515 代理人: 李海峰
地址: 528226 广东省佛*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种碳化硅半导体元件,包括,碳化硅基板生长于该碳化硅基板上的外延层基板;设于碳化硅基板上的半导体晶体管;设于所述碳化硅基板上的布线层;设于碳化硅基板底面的势垒金属区,以及由所述布线层和势垒金属区所形成的温度检测元件。
搜索关键词: 一种 碳化硅 半导体 元件
【主权项】:
一种碳化硅半导体元件,包括,碳化硅基板,生长于该碳化硅基板上的外延层基板;设于碳化硅基板上的半导体晶体管;设于所述碳化硅基板上的布线层;设于碳化硅基板底面的势垒金属区,以及由所述布线层和势垒金属区所形成的温度检测元件。
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