[发明专利]一种AlGaInP发光二极管有效
| 申请号： | 201610276669.2 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN105742433B | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 郑元宇;郑建森;伍明跃;周启伦;邱财华;罗宵;林峰;李水清;吴超瑜;蔡坤煌 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种AlGaInP发光二极管，从下至上依次包括衬底，DBR反射层，N型半导体层，量子阱发光层，P型半导体层，过渡层和P型电流扩展层，所述DBR反射层采用多谱掺杂；所述P型半导体层包括与量子阱发光层相邻的第一P型半导体层以及与过渡层相邻的第二P型半导体层组成，所述第二P型半导体层的掺杂浓度小于所述第一P型半导体层。通过提升多谱DBR掺杂浓度有利于电流在DBR反射层中扩展，提升老化性能；通过降低与过渡层相邻段的P型半导体掺杂层，与过渡层形成浓度差，用于平衡过渡层掺杂，避免过渡层高掺杂在长时间老化中引入的非辐射复合增加，导致光衰，进一步提升老化性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 algainp 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种AlGaInP发光二极管，从下至上依次包括衬底，DBR反射层，N型半导体层，量子阱发光层，P型半导体层，过渡层和P型电流扩展层，其特征在于：所述DBR反射层采用多谱掺杂，包括第一DBR反射层，第二DBR反射层，第三DBR反射层，第一DBR反射层掺杂浓度高于第二DBR反射层，第二DBR反射层掺杂浓度高于第三DBR反射层；所述P型半导体层包括与量子阱发光层相邻的第一P型半导体层以及与过渡层相邻的第二P型半导体层组成，所述第二P型半导体层的掺杂浓度小于所述第一P型半导体层。
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