[发明专利]一种制备立方相三氧化二铈单晶薄膜的方法有效
| 申请号： | 201610276819.X | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN105951178B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 冯卫;刘琴;谢东华;朱燮刚;陈秋云;谭世勇 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院材料研究所 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/02;C30B29/16;C30B33/00;C30B33/02;C01B19/04 |
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| 地址： | 621908 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于薄膜制备领域。公开一种制备立方相三氧化二铈单晶薄膜的方法。该三氧化二铈为(Mn0.5Fe0.5)2O3结构，空间群为206。该方法包括：提供一单晶钨(110)衬底，并对其表面进行清洁处理，以获得原子级平整的表面；提供铈(Ce)蒸发源，并在处理后的单晶钨(110)衬底表面沉积Ce，在处理后的单晶钨(110)衬底表面获得厚度为2~5纳米的Ce单晶薄膜；在室温下氧化Ce单晶薄膜，获得CeO2；在真空环境中对CeO2进行退火处理，退火温度900℃，时间为15~30分钟，获得(001)面的Ce2O3单晶薄膜。本发明获得了（001）面的立方相Ce2O3单晶薄膜，是对现有催化模型体系研究的补充。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 立方 氧化 二铈单晶 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备立方相三氧化二铈(Ce2O3)单晶薄膜的方法，其特征在于：所述方法包括：提供一单晶钨(110)衬底，并对其表面进行清洁处理，以获得原子级平整的表面；提供铈(Ce)蒸发源，并在处理后的单晶钨(110)衬底表面沉积Ce，在处理后的单晶钨(110)衬底表面获得厚度为2～5纳米(nm)的Ce单晶薄膜；在室温下氧化Ce单晶薄膜，在分压1×10‑3mbar～1大气压的高纯氧气氛下将Ce单晶薄膜氧化20小时以上，获得CeO2；在真空环镜中对CeO2进行退火处理，退火温度为900℃，时间为15～30分钟，获得晶面(001)面的Ce2O3单晶薄膜。
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