[发明专利]一种有机发光二极管ITO电极的制备方法在审
申请号: | 201610277447.2 | 申请日: | 2016-04-27 |
公开(公告)号: | CN105895830A | 公开(公告)日: | 2016-08-24 |
发明(设计)人: | 何苗;黄波;陈雪芳;刘翠;郑树文;李述体 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 胡辉 |
地址: | 510630 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种有机发光二极管ITO电极的制备方法,包括有以下步骤:A、在玻璃基板上均匀涂布ITO膜,分别在去离子水、丙酮、洗涤剂和异丙醇中用超声波清洗,然后用高纯度氮气吹干;B、将上述步骤得到的样品在等离子体增强化学气相沉积设备中利用等离子体的气体N2O或N2处理;C、在ITO膜表面先后旋涂PEDOT‑PSS薄膜层和P‑PPV薄膜层;D、在真空室内通过热蒸发方式在P‑PPV薄膜层上沉积Al阴极。本发明方法通过对ITO表面用N2O进行等离子处理,不仅降低了制备成本,同时可克服CF4的缺点,改善其器件性能,提高其发光亮度,并且避免使用对人体有害的CF4,提高其安全性。本发明作为一种有机发光二极管ITO电极的制备方法可广泛应用于显示技术领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 有机 发光二极管 ito 电极 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种有机发光二极管ITO电极的制备方法,其特征在于:包括有以下步骤:A、在玻璃基板上均匀涂布ITO膜,分别在去离子水、丙酮、洗涤剂和异丙醇中用超声波清洗,然后用高纯度氮气吹干;B、将上述步骤得到的样品在等离子体增强化学气相沉积设备中利用等离子体的气体N2O或N2处理;C、在ITO膜表面先后旋涂PEDOT‑PSS薄膜层和P‑PPV薄膜层;D、在真空室内通过热蒸发方式在P‑PPV薄膜层上沉积Al阴极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南师范大学,未经华南师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610277447.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种三元锂电池的安全防过充盖板
- 下一篇:电机后盖组件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择