[发明专利]一种有机发光二极管ITO电极的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610277447.2 申请日: 2016-04-27
公开(公告)号: CN105895830A 公开(公告)日: 2016-08-24
发明(设计)人: 何苗;黄波;陈雪芳;刘翠;郑树文;李述体 申请(专利权)人: 华南师范大学
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 胡辉
地址: 510630 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种有机发光二极管ITO电极的制备方法,包括有以下步骤:A、在玻璃基板上均匀涂布ITO膜,分别在去离子水、丙酮、洗涤剂和异丙醇中用超声波清洗,然后用高纯度氮气吹干;B、将上述步骤得到的样品在等离子体增强化学气相沉积设备中利用等离子体的气体N2O或N2处理;C、在ITO膜表面先后旋涂PEDOT‑PSS薄膜层和P‑PPV薄膜层;D、在真空室内通过热蒸发方式在P‑PPV薄膜层上沉积Al阴极。本发明方法通过对ITO表面用N2O进行等离子处理,不仅降低了制备成本,同时可克服CF4的缺点,改善其器件性能,提高其发光亮度,并且避免使用对人体有害的CF4,提高其安全性。本发明作为一种有机发光二极管ITO电极的制备方法可广泛应用于显示技术领域。
搜索关键词: 一种 有机 发光二极管 ito 电极 制备 方法
【主权项】:
一种有机发光二极管ITO电极的制备方法,其特征在于:包括有以下步骤:A、在玻璃基板上均匀涂布ITO膜,分别在去离子水、丙酮、洗涤剂和异丙醇中用超声波清洗,然后用高纯度氮气吹干;B、将上述步骤得到的样品在等离子体增强化学气相沉积设备中利用等离子体的气体N2O或N2处理;C、在ITO膜表面先后旋涂PEDOT‑PSS薄膜层和P‑PPV薄膜层;D、在真空室内通过热蒸发方式在P‑PPV薄膜层上沉积Al阴极。
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