[发明专利]电阻式记忆胞的写入方法及电阻式内存有效
| 申请号： | 201610277668.X | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN107342105B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 陈达 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电阻式记忆胞的写入方法及电阻式内存。此写入方法提供重置信号组至电阻式记忆胞以进行写入操作。检测电阻式记忆胞的电流以判断此电阻式记忆胞是否完成写入操作。当此电阻式记忆胞并未完成写入操作时，判断此电阻式记忆胞中丝状导电路径的宽度是否窄化。当此电阻式记忆胞中丝状导电路径的宽度已窄化时，降低此重置信号组中电阻式记忆胞的字符线电压。本发明提供的写入方法是藉由逐次降低电阻式记忆胞的字符线电压的方式来延展重置操作的电压窗口，减少电阻式记忆胞因输入电压过高而发生互补切换现象的机率。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 记忆 写入 方法 内存 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式记忆胞的写入方法，其特征在于，包括：/n提供重置信号组至电阻式记忆胞以进行写入操作；/n检测所述电阻式记忆胞的电流以判断所述电阻式记忆胞是否完成所述写入操作；/n当所述电阻式记忆胞并未完成所述写入操作时，判断所述电阻式记忆胞中丝状导电路径的宽度是否窄化；以及/n当所述电阻式记忆胞中所述丝状导电路径的宽度已窄化时，降低所述重置信号组中所述电阻式记忆胞的字线电压。/n
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