[发明专利]交错型隧穿场效应晶体管有效
| 申请号： | 201610278663.9 | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN106098768B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 庄绍勋;谢易叡;张贯宇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了具有位于源极和漏极区域之间的重叠结构的隧穿场效应晶体管以提供更大的隧穿区域。源极或漏极区域可以是半导体衬底中的掺杂区域。可以通过在掺杂区域上方的外延沉积来形成其他源极或漏极区域。栅极形成在外延区域上方，其中掺杂和外延区域重叠。掺杂区域可形成在鳍结构中，外延区域和栅极形成在鳍的顶部和侧部上。本发明还提供了交错型隧穿场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 交错 型隧穿 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种隧穿场效应晶体管，包括：掺杂区域，形成在半导体衬底中；外延区域，形成为在重叠区域中与所述掺杂区域重叠；以及栅极，形成为与所述重叠区域相邻；其中，所述掺杂区域用作所述隧穿场效应晶体管的源极和漏极中的一个，且所述外延区域用作所述隧穿场效应晶体管的所述源极和漏极中的另一个。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610278663.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于涂色块的内部集卡定位方法
- 下一篇：农业收割机的螺旋输送器组件
- 同类专利
- 专利分类
