[发明专利]一种混沌电路

摘要

本申请公开了一种混沌电路。本发明对基于两个频率产生模块和一个非线性模块构造的混沌电路的结构进行简化，其核心包括两路四管的频率产生电路和一路三管的有源分数电容电路作为非线性模块。与现有技术相比，本发明较大地简化了已知的MOS管实现的混沌电路结构，基于11个MOS管、两个电阻以及两个电容即可实现混沌信号的输出，设计原理充分利用了较少管子实现滞回，找到了反馈线的合适馈入点，能达到采用较少MOS管的电路结构产生混沌的目的，同时保留了实现模拟信号混沌的时域复杂性和带宽频谱特性。

主权项

1.一种混沌电路，其特征在于，包括：第一频率产生电路、第二频率产生电路以及有源分数电容电路；其中，所述第一频率产生电路包括：第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一电容以及第一电阻；所述第一PMOS管的栅极、所述第一NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的栅极和所述第一电容的一端相连，所述第一电容的另一端接地；所述第一PMOS管的源极与自身的衬底相连，且与电源相连，所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极相连；所述第一NMOS管的源极与自身的衬底相连，且与所述第二NMOS管的漏极相连；所述第二NMOS管的源极与自身的衬底相连，且接地；所述第一电阻的一端与所述第一PMOS管的栅极相连，另一端与所述第一PMOS管的漏极相连；所述第三NMOS管的漏极与电源相连，源极与所述第二NMOS管的漏极相连，栅极与所述第一PMOS管的漏极相连，所述第三NMOS管的栅极为所述混沌电路的第一信号输出端；所述第二频率产生电路包括：第二PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第二电阻以及第二电容；所述第二PMOS管的栅极、所述第四NMOS管的栅极、所述第五NMOS管的栅极和所述第二电容的一端相连，所述第二电容的另一端接地；所述第二PMOS管的源极与自身的衬底相连，且与电源相连，所述第二PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的漏极相连；所述第四NMOS管的源极与自身的衬底相连，且与所述第五NMOS管的漏极相连；所述第五NMOS管的源极与自身的衬底相连，且接地；所述第二电阻的一端与所述第二PMOS管的栅极相连，另一端与所述第二PMOS管的漏极相连；所述第六NMOS管的漏极与电源相连，源极与所述第五NMOS管的漏极相连，栅极与所述第二PMOS管的漏极相连；所述有源分数电容电路包括：第三PMOS管、第四PMOS管以及第七NMOS管；所述第三PMOS管的栅极、所述第四PMOS管的栅极以及所述第七NMOS管的栅极相连；所述第三PMO管的源极与自身的衬底相连，且与电源相连，漏极与所述第四PMOS管的源极相连；所述第四PMOS管的源极与自身的衬底相连，漏极与所述第七NMOS管的漏极相连所述七NMOS管的源极与自身的衬底相连，且接地；所述第一频率产生电路中的所述第三NMOS管的衬底与所述有源分数电容电路中的所述第三PMOS管的漏极相连；所述第二频率产生电路中的所述第六NMOS管的衬底与所述有源分数电容电路中的所述第四PMOS管的漏极相连，且作为所述混沌电路的第二信号输出端；所述第二频率产生电路中的所述第六NMOS管的栅极分别与所述有源分数电容电路中的所述第三PMOS管的栅极、所述第四PMOS管的栅极以及所述第七NMOS管的栅极相连。