[发明专利]激光辅助放电极紫外光源预电离等离子体电子温度测量方法在审
| 申请号： | 201610279298.3 | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN105739249A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 赵永蓬;王骐;徐强 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 岳昕 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 激光辅助放电极紫外光源预电离等离子体电子温度测量方法，涉及极紫外光刻光源离子状态检测技术。目的是为了解决激光辅助放电EUV光源预电离等离子体电子温度测量依赖价格昂贵的设备，并且检测条件苛刻的问题。本发明首先使激光器发出的激光脉冲经过聚焦系统后作用在Sn靶上，产生Sn的初始等离子体，测量所述初始等离子体的发射光谱，然后从初始等离子体的发射光谱中选取至少两条谱线，所选取的所有谱线至少对应两个不同的上能级，读取每条谱线的波长和强度，根据所述谱线的波长、强度及原子参数，计算得到等离子体的电子温度。本发明只需要采用一些常规的设备在常规条件下即可完成电子温度测量，适用于半导体晶片的光刻技术。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 辅助 电极 紫外 光源 电离 等离子体 电子 温度 测量方法 | ||
【主权项】：
激光辅助放电极紫外光源预电离等离子体电子温度测量方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、使激光器发出的激光脉冲经过聚焦系统后作用在Sn靶上，产生Sn的初始等离子体，测量所述初始等离子体的发射光谱；步骤二、从初始等离子体的发射光谱中选取至少两条谱线，所选取的所有谱线至少对应两个不同的上能级，读取每条谱线的波长和强度，根据所述谱线的波长、强度及原子参数，计算得到等离子体的电子温度。
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