[发明专利]一种具有(004)晶面择优的二氧化钛薄膜材料的制备方法有效
| 申请号： | 201610280115.X | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN107326335B | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 丁万昱;刘金东 | 申请（专利权）人： | 大连交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅;李馨 |
| 地址： | 116028 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有(004)晶面择优的二氧化钛薄膜材料的制备方法，属于表面加工、涂层领域。所述制备方法包括如下步骤：①利用磁控溅射的方法得到非晶二氧化钛薄膜材料，所述磁控溅射的功率密度为0.8‑3.3W/cm2；②将非晶二氧化钛薄膜材料400‑600℃退火得到具有(004)晶面择优的锐钛矿相多晶结构的二氧化钛薄膜材料。本发明有益效果为：通过控制磁控溅射过程中钛靶表面磁控溅射的功率密度，得到具有不同晶体结构和择优取向的二氧化钛薄膜材料，实现二氧化钛薄膜材料晶体结构和择优取向的可调控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 004 择优 氧化 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有(004)晶面择优的二氧化钛薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括如下步骤：①利用磁控溅射的方法得到非晶二氧化钛薄膜材料，所述磁控溅射的功率密度为0.8‑3.3W/cm2，所述磁控溅射的温度为室温，所述磁控溅射的工作气体为高纯氩和高纯氧，所述磁控溅射的靶材为高纯金属钛靶；②在空气条件下，将非晶二氧化钛薄膜材料400‑600℃退火得到具有(004)晶面择优的锐钛矿相多晶结构的二氧化钛薄膜材料。
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