[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201610281637.1 | 申请日： | 2016-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN105932065A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 朴相姬;黄治善;柳民基;皮在恩;高宗范;廉惠仁 | 申请（专利权）人： | 韩国电子通信研究院;韩国科学技术院 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例提供半导体装置及其制造方法。半导体装置包括设置在基板上并配置为提供沟道区域的第二半导体图案，和设置在基板和第二半导体图案之间的第一半导体图案，其中第一半导体图案包括沟道区域和源/漏区域，沟道区域是第一半导体图案与第二半导体图案接触的部分，源/漏区域是第一半导体图案通过第二半导体图案所暴露的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：基板；第二半导体图案，其设置在所述基板上且配置为提供沟道区域；第一半导体图案，其设置在所述基板和所述第二半导体图案之间，其中所述第一半导体图案包括沟道区域和源/漏区域，所述沟道区域是与所述第二半导体图案接触的部分，所述源/漏区域是通过所述第二半导体图案暴露的部分；栅绝缘层，其邻接所述第二半导体图案和所述第一半导体图案中的至少一个；以及栅电极，与所述第一半导体图案和所述第二半导体图案分隔开，所述栅绝缘层在所述第一半导体图案及所述第二半导体图案和所述栅电极之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韩国电子通信研究院;韩国科学技术院，未经韩国电子通信研究院;韩国科学技术院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610281637.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
