[发明专利]半导体装置用薄膜、半导体装置的制造方法、及半导体装置在审
| 申请号： | 201610282698.X | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN106084604A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 高本尚英;木村龙一 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C08L33/08 | 分类号： | C08L33/08;C08L63/00;C08L61/06;C08K7/18;C08K3/36;C08J5/18;H01L21/50;H01L21/56;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置用薄膜、半导体装置的制造方法、及半导体装置，所述半导体装置用薄膜能够抑制卷取成卷状时向倒装芯片型半导体背面用薄膜的转印痕迹、并抑制被标记的各种信息的辨识性的降低。一种半导体装置用薄膜，其具备：多个带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜，其在隔离膜上隔开规定间隔地配置；和外侧片，其配置于带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜的外侧，带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜为如下结构：具有切割带和倒装芯片型半导体背面用薄膜，将外侧片的宽度最窄的部分的长度设为G、将隔离膜的长边到切割带的长度设为F时，G在F的0.2倍～0.95倍的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置用薄膜，其特征在于，具备：长条的隔离膜；多个带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜，其在所述隔离膜上隔开规定间隔地配置成1列；和外侧片，其配置于所述带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜的外侧，并且，以含盖所述隔离膜的长边的方式层叠于所述隔离膜上，其中，所述带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜为如下结构：具有切割带、和以不超出所述切割带的方式层叠于所述切割带上的倒装芯片型半导体背面用薄膜，所述隔离膜与所述带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜是以所述隔离膜和所述倒装芯片型半导体背面用薄膜作为贴合面来层叠的，将所述外侧片的宽度最窄的部分的长度设为G、将所述隔离膜的长边到所述切割带的长度设为F时，所述G在所述F的0.2倍～0.95倍的范围内。
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