[发明专利]半导体晶片及在半导体晶片中制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201610283766.4 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN106128967B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | W·扬奇尔;H-J·舒尔策;H·韦伯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/324;H01L21/268;H01L27/085 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 一种在半导体晶片(105)中制造半导体装置的方法包括在所述半导体晶片中形成电荷补偿装置结构(111，112)。测量与所述电荷补偿装置结构(111，112)相关的电特性(αi)。基于测得的电特性(αi)调节质子辐射参数和退火参数中的至少一个。基于调节后的质子辐射参数和退火参数中的至少一个以质子照射所述半导体晶片(105)并对所述半导体晶片(105)退火。基于测得的电特性(αi)针对所述半导体晶片(105)上的不同位置调节光子束辐射参数。基于所述光子束辐射参数以光子束(137)在所述半导体晶片的不同位置处照射所述半导体晶片(105)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体晶片(105)中制造半导体装置的方法，所述方法包括：在所述半导体晶片中形成电荷补偿装置结构(111，112)；测量与所述电荷补偿装置结构(111，112)相关的电特性(αi)；基于测得的电特性(αi)调节质子辐射参数和退火参数中的至少一个；基于调节后的质子辐射参数和退火参数中的至少一个以质子照射所述半导体晶片(105)并对所述半导体晶片(105)退火；基于测得的电特性(αi)针对所述半导体晶片(105)上的不同位置调节光子束辐射参数；并且基于所述光子束辐射参数以光子束(137)在所述半导体晶片的不同位置处照射所述半导体晶片(105)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
