[发明专利]半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201610283784.2 申请日: 2016-04-29
公开(公告)号: CN106098573B 公开(公告)日: 2019-05-17
发明(设计)人: 日野泰成;川端大辅 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L21/58 分类号: H01L21/58;H01L21/603
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法,该方法抑制烧结性的接合材料的材料成本的增大,且进行高品质的接合。本发明涉及的半导体装置的制造方法具有下述工序:工序(a),在基板(绝缘基板(3))之上配置片状的烧结性的接合材料(2a);工序(b),在工序(a)之后,在接合材料(2a)之上配置半导体元件(1);以及工序(c),一边在基板与半导体元件(1)之间对所述接合材料(2a)施加压力、一边对所述接合材料(2a)进行烧结,接合材料(2a)含有Ag或Cu的微粒,微粒被有机膜包裹。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置的制造方法,其具有下述工序:工序(a),在基板之上配置利用吸附夹头从片状的烧结性的接合材料剪切出的片状的接合材料;工序(b),在所述工序(a)之后,在所述接合材料之上配置半导体元件;以及工序(c),一边在所述基板与所述半导体元件之间对所述接合材料施加压力、一边对所述接合材料进行烧结,所述接合材料含有Ag或Cu的微粒,该微粒被有机膜包裹,在所述工序(a)中使用所述吸附夹头进行剪切出的所述接合材料的输送及配置。
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