[发明专利]半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201610283784.2 | 申请日: | 2016-04-29 |
公开(公告)号: | CN106098573B | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 日野泰成;川端大辅 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58;H01L21/603 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法,该方法抑制烧结性的接合材料的材料成本的增大,且进行高品质的接合。本发明涉及的半导体装置的制造方法具有下述工序:工序(a),在基板(绝缘基板(3))之上配置片状的烧结性的接合材料(2a);工序(b),在工序(a)之后,在接合材料(2a)之上配置半导体元件(1);以及工序(c),一边在基板与半导体元件(1)之间对所述接合材料(2a)施加压力、一边对所述接合材料(2a)进行烧结,接合材料(2a)含有Ag或Cu的微粒,微粒被有机膜包裹。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置的制造方法,其具有下述工序:工序(a),在基板之上配置利用吸附夹头从片状的烧结性的接合材料剪切出的片状的接合材料;工序(b),在所述工序(a)之后,在所述接合材料之上配置半导体元件;以及工序(c),一边在所述基板与所述半导体元件之间对所述接合材料施加压力、一边对所述接合材料进行烧结,所述接合材料含有Ag或Cu的微粒,该微粒被有机膜包裹,在所述工序(a)中使用所述吸附夹头进行剪切出的所述接合材料的输送及配置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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