[发明专利]一种四层掩模图案化磁性隧道结的方法有效
| 申请号： | 201610284008.4 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN107331770B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 张云森;肖荣福 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种四层掩模图案化磁性隧道结的方法，包括以下步骤：步骤1：在基底上形成磁性隧道结膜层单元；步骤2：在磁性隧道结膜层单元上形成四层掩模膜层单元；步骤3：在四层掩模膜层单元上形成光刻胶单元；步骤4：通过光刻将光刻胶单元图案化；步骤5：将四层掩模膜层单元图案化；步骤6：将磁性隧道结膜层单元图案化；步骤7：用离子束刻蚀对被破坏的图案化磁性隧道结膜层单元侧壁进行修整；步骤8：用氮化硅层包覆图案化后的磁性隧道结膜层单元。本发明有效地改善了钽掩模刻蚀过后的图案和轮廓，以及消除了钽掩模在磁性隧道结刻蚀之前的消耗，降低了磁性随机存储器电路位线和磁性隧道结单元短路的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 四层掩模 图案 磁性 隧道 方法 | ||
【主权项】：
一种四层掩模图案化磁性隧道结的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：在基底上形成磁性隧道结膜层单元；步骤2：在所述磁性隧道结膜层单元上形成四层掩模膜层单元；步骤3：在所述四层掩模膜层单元上形成光刻胶单元；步骤4：通过光刻将所述光刻胶单元图案化；步骤5：将所述四层掩模膜层单元图案化；步骤6：将所述磁性隧道结膜层单元图案化；步骤7：用离子束刻蚀对被破坏的图案化磁性隧道结膜层单元侧壁进行修整；步骤8：用氮化硅层包覆图案化后的磁性隧道结膜层单元。
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