[发明专利]一种微电子用多层金属膜蚀刻液及其应用有效
| 申请号： | 201610284114.2 | 申请日： | 2016-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN105803459B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 高小云;刘兵 | 申请（专利权）人： | 苏州晶瑞化学股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F1/26;C23F1/44;C23F1/02 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;汪青 |
| 地址： | 215168 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种微电子用多层金属膜蚀刻液及其应用，以重量百分含量计，该蚀刻液的原料配方包括过氧化氢5~25%，辅酸3~10%，过氧化氢稳定剂2~10%，锥角控制剂0.001~1%，添加剂0.1~1%，余量为超纯水；其中，所述辅酸为可以提供H+的酸性物质；所述过氧化氢稳定剂为羟基乙叉二膦酸、8‑羟基喹啉、柠檬酸、吡啶二羧酸、氨基乙醇磷酸、皮考啉酸、聚丙烯酸胺中三种的组合；所述锥角控制剂为含有氨基的有机化合物，其碳链长度为1~10。本发明通过选择特定的过氧化氢稳定剂，以及配合蚀刻液中的添加剂，可以获得长储存期的蚀刻液，同时稳定蚀刻液的蚀刻能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微电子 多层 金属膜 蚀刻 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种微电子用多层金属膜蚀刻液，其特征在于：以重量百分含量计，所述蚀刻液的原料配方包括过氧化氢5~25%，辅酸3~10%，过氧化氢稳定剂2~10%，锥角控制剂0.001~1%，添加剂0.1~1%，余量为超纯水；其中，所述辅酸为甲基苯磺酸、磷酸、高氯酸、氢氟酸中的一种或多种的组合，其可以提供H+的酸性物质；所述过氧化氢稳定剂由羟基乙叉二膦酸、柠檬酸和吡啶二羧酸构成；所述锥角控制剂为含有氨基的有机化合物，其碳链长度为1~10；所述添加剂为磷酸氢铵。
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