[发明专利]阵列基板及其制作方法

摘要

一种阵列基板及其制作方法。该阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上形成钝化层；在钝化层上形成光刻胶，并通过曝光和显影工艺形成包括光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域以及光刻胶完全去除区域的第一光刻胶图案；以第一光刻胶图案作为掩膜对钝化层进行刻蚀以在钝化层中形成第一过孔；灰化第一光刻胶图案以去除光刻胶部分保留区域的光刻胶并减薄光刻胶完全保留区域的光刻胶以形成第二光刻胶图案；以及以第二光刻胶图案为掩膜对钝化层进行刻蚀以减薄光刻胶部分保留区域的钝化层。该阵列基板的制作方法可降低因阵列基板高度不均带来的各种风险。

主权项

1.一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上形成钝化层；在所述钝化层上形成光刻胶，并通过曝光和显影工艺形成包括光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域以及光刻胶完全去除区域的第一光刻胶图案；以所述第一光刻胶图案作为掩膜对所述钝化层进行刻蚀以在所述钝化层中形成第一过孔；灰化所述第一光刻胶图案以去除所述光刻胶部分保留区域的所述光刻胶并减薄所述光刻胶完全保留区域的所述光刻胶以形成第二光刻胶图案；以所述第二光刻胶图案为掩膜对所述钝化层进行刻蚀以减薄所述光刻胶部分保留区域的所述钝化层；在所述钝化层上形成第一电极，其中，所述第一电极形成在所述钝化层具有第二高度的区域；在所述第一电极上形成绝缘层；以及在所述绝缘层上形成第二电极，其中，所述第一光刻胶图案的所述光刻胶完全去除区域对应所述钝化层上待形成所述第一过孔的区域；所述第一光刻胶图案的所述光刻胶部分保留区域对应所述钝化层上待减薄的区域；根据从所述衬底基板到所述钝化层的上表面的高度，所述钝化层包括具有第一高度的区域和具有所述第二高度的区域，所述第一高度大于所述第二高度，所述第一光刻胶图案的所述光刻胶部分保留区域对应具有所述第一高度的区域，所述第一光刻胶图案的所述光刻胶完全保留区域对应具有所述第二高度的区域；以及减薄所述光刻胶部分保留区域的所述钝化层以使得所述光刻胶部分保留区域的所述钝化层的上表面的高度与所述光刻胶完全保留区域的所述钝化层的上表面高度的差值等于所述第一电极和所述第二电极的厚度之和。