[发明专利]沉积工艺系统及应用于半导体设备的喷射器与上盖板总成

摘要

本发明是有关一种沉积工艺系统及应用于半导体设备的喷射器与上盖板总成。该沉积工艺系统包含气体处理装置，而该气体处理装置包含喷射器与上盖板总成。该喷射器与上盖板总成包含上盖板、喷射器及顶板。上盖板包含多个流体冷却通道。喷射器设置于上盖板，包含气源分配器、流体冷却式气源通道、多个气源喷射板及导锥。气源分配器均匀分布多种气体及气源通道冷却流体，流体冷却式气源通道连接气源分配器，导入气源通道冷却流体形成多个流体墙，并导入第一气体及多种气体。多个气源喷射板及导锥依序设置于该流体冷却式气源通道下，顶板贴附于上盖板表面及邻近喷射器一侧。本发明可防止一般现有的工艺中堆积脏污物质附着于顶板的下表面，提高工艺正品率，同时具备可调变气源流速与流场特征，利于工艺开发，更具实用性。

主权项

1.一种沉积工艺系统，其特征在于其包含：气体处理装置，包含：喷射器与上盖板总成，包含：上盖板，包含：上板；中隔板，该上板与该中隔板之间具有第一流体冷却通道，用以导入第一冷却流体；以及下板，该中隔板与该下板之间具有第二流体冷却通道，用以导入第二冷却流体，借由该第一与该第二冷却流体形成一温度梯度；喷射器，该喷射器设置于该上盖板，包含：气源分配器，该气源分配器包含外壳及多个隔板，该气源分配器均匀分布多种气体及气源通道冷却流体，该气源分配器包含气体管路，该气体管路穿越该气源分配器以导入第一气体；流体冷却式气源通道，该流体冷却式气源通道连接该气源分配器，包含:多个独立通道、第一气体通道及多个气体通道，该多个独立通道导入该气源通道冷却流体形成多个流体墙，该第一气体通道连接该气体管路，该多个气体通道分别导入该多种气体，其中该独立通道位于相邻二个该气体通道之间以及外侧；以及多个气源喷射板及导锥依序设置于该流体冷却式气源通道下，以改变该多种气体与该第一气体的流动方向；以及顶板，设置贴附于该上盖板的下板，借由该第一与该第二冷却流体形成的温度梯度以热传导调整顶板的温度，防止工艺中堆积由气体反应形成的脏污物质颗粒在顶板上。