[发明专利]一种高强度宽带减反膜的制备方法

摘要

本发明属于光学薄膜材料领域，特别涉及一种新型高强度宽带减反膜及其制备方法。该方法用溶胶‑凝胶法，提拉法镀制了两层薄膜，下层是SiO2实心球和羟基增强的链状硅溶胶组成的薄膜，上层是SiO2空心球和羟基增强的链状硅溶胶组成的薄膜，利用提拉速度控制两层薄膜的膜厚，经高温煅烧后，得到400‑1200nm平均透光率达到99％，硬度达到5H的双层宽带减反膜。

主权项

1.一种高强度宽带减反膜的制备方法，其特征在于：所述制备方法的步骤为，(1)以正硅酸四乙酯为原料、无水乙醇为溶剂、氨水为催化剂，法制备SiO₂实心球溶胶，将正硅酸四乙酯、硝酸、双氧水、无水乙醇在室温下混合搅拌6h后，回流去除体系中的过氧化氢，得到改性的线性硅酸聚合物二氧化硅溶胶，将上述改性的线性硅酸聚合物二氧化硅溶胶和SiO2实心球溶胶混合回流2h后，放置得到下层镀膜溶胶；(2)室温下，将丙烯酸乳液溶于氨水中，并加入无水乙醇，剧烈搅拌10min后，逐滴加入正硅酸四乙酯，将所得的混合溶液密封后剧烈搅拌12h后，然后在110℃下回流24h，除去氨水，至溶胶的pH值为7，得到SiO2空心球溶胶，将正硅酸四乙酯、硝酸、双氧水、无水乙醇在室温下混合搅拌6h后，回流去除体系中的过氧化氢，得到改性的线性硅酸聚合物二氧化硅溶胶，将上述改性的线性硅酸聚合物二氧化硅溶胶和SiO2空心球溶胶混合回流2h后，放置得到上层镀膜溶胶；(3)在基体表面利用提拉法先镀制一层步骤(1)中得到的下层镀膜溶胶，烘干固化后煅烧；再于其上利用提拉法镀制一层步骤(2)中得到的上层镀膜溶胶，烘干固化并煅烧，得到双层宽带减反膜。