[发明专利]Cu掺杂ZnO为有源层的ZnO‑GaN组合紫外发光管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610285795.4 | 申请日： | 2016-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN105720148B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 杜国同;梁红伟;董鑫;夏晓川;包俊飞 | 申请（专利权）人： | 金华吉大光电技术研究所有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/26;H01L33/28;H01L33/00 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司22201 | 代理人： | 刘世纯,王恩远 |
| 地址： | 321016 浙江省金华市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及两种Cu掺杂ZnO为有源层的ZnO‑GaN組合紫外发光管及其制备方法。器件由衬底、在衬底上外延生长的p型GaN空穴注入层，空穴注入层上制备的n‑ZnO电子注入层和下电极，电子注入层上面制备的上电极等部件构成，其特征在于在p型GaN空穴注入层和n‑ZnO电子注入层之间还制备有Cu掺杂的ZnO有源层。本发明可实现ZnO带边的紫外发光，并可比ZnO‑GaN简单组合发光管提高输出功率，进一步拓展器件的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | cu 掺杂 zno 有源 gan 组合 紫外 发光 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Cu掺杂ZnO为有源层的ZnO‑GaN组合紫外发光管，依次由Al2O3衬底(1)、衬底(1)上表面外延生长的p型GaN空穴注入层(2)、空穴注入层(2)上表面制备的相互分立的n‑ZnO电子注入层(3)和下电极(5)、电子注入层(3)上表面制备的上电极(4)构成，其特征在于：在空穴注入层(2)和n‑ZnO电子注入层(3)之间还制备有Cu掺杂的ZnO有源层(6)；p型GaN空穴注入层(2)中载流子空穴的浓度为2×1017～2×1018/cm3，有源层(6)中载流子电子的浓度为2×1015～1.5×1017/cm3，n‑ZnO电子注入层(3)中载流子电子的浓度为5×1017～2×1019/cm3。
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