[发明专利]一种碳氧化硅柔性纳米薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种碳氧化硅薄膜的制备方法。通常方法制备的碳氧化硅呈颗粒状。本发明制备的碳氧化硅生长在金属基底表面，碳氧化硅与基底之间可以分离，分离后碳氧化硅薄膜可以转移至其它基底表面，该方法将增加碳氧化硅薄膜的应用范围。该方法制备的碳氧化硅薄膜具有机械强度好、柔韧性好、连续透明和可转移性等优点。

主权项

一种碳氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，该方法的具体步骤是：步骤(1).将金属片用浓度为0.5～1.5mol/L浸洗5～10秒，去离子水清洗后用氮气吹干，放入电炉的石英管中；步骤(2).石英管中持续通入氢气,将电炉温度升至900～1000℃后保温5～30分钟；步骤(3).持续保持通入氢气同时向石英管内通入正硅酸乙酯；20～30分钟后关闭通入正硅酸乙酯和氢气的混合气；在通入氢气的时间段内氢气的流量比为5～100sccm；步骤(4).敞开开启式电炉炉门，将石英管冷却到常温，冷却速率为20～30℃/min，然后关闭通入氢气，取出金属片；步骤(5).将步骤(4)获得的金属片采用旋涂法在金属片表面均匀涂覆聚甲基丙烯酸甲酯层，聚甲基丙烯酸甲酯层厚度为30～100纳米；烘箱中80～180℃保温30～60秒，聚甲基丙烯酸甲酯层固化；步骤(6).将涂有聚甲基丙烯酸甲酯层的金属片放入三氯化铁溶液中，金属片被三氯化铁腐蚀去除，20～30分钟后获得层状结构的碳氧化硅薄膜，其中底层为厚度5～100纳米碳氧化硅层、顶层为甲基丙烯酸甲酯层；步骤(7).将层状结构的碳氧化硅薄膜从三氯化铁溶液中捞出，用去离子水清洗，然后转移至衬底表面，用氮气吹干；获得层状结构的碳氧化硅薄膜，其中底层为衬底层，中间层为碳氧化硅层、顶层为甲基丙烯酸甲酯层；步骤(8).将步骤(7)获得的层状结构的碳氧化硅薄膜进入丙酮溶液中，溶解去除甲基丙烯酸甲酯层，30～60分钟后获得层状结构的碳氧化硅薄膜，其中底层为衬底层，顶层为碳氧化硅层。