[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201610286085.3 | 申请日： | 2011-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN105895770B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 金多慧;李俊熙;柳宗均;金彰渊;林弘澈 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管(LED)。根据实施例的LED包括：基底；半导体堆叠件，布置在基底上，包括p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一金属层，设置在基底和半导体堆叠件之间，第一金属层与半导体堆叠件欧姆接触；第一电极焊盘，布置在半导体堆叠件上；电极延伸件，从第一电极焊盘延伸，包括与n型半导体层接触的接触区；第一绝缘层，设置在基底和半导体堆叠件之间，覆盖p型半导体层的在电极延伸件的接触区下方的第一区域；第二绝缘层，覆盖半导体堆叠件，其中，基底包括包含W和Mo中的至少一种的第二金属层以及分别布置在第二金属层的第一表面和第二表面上的第三金属层，第三金属层的热膨胀系数比第二金属层的热膨胀系数高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体堆叠件 基底 第二金属层 绝缘层 第一金属层 电极延伸件 发光二极管 热膨胀系数 第一电极 接触区 金属层 焊盘 第二表面 第一表面 第一区域 欧姆接触 覆盖 源层 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，所述发光二极管包括：支撑基底；半导体堆叠件，布置在支撑基底上，半导体堆叠件包括p型化合物半导体层、有源层和n型化合物半导体层；保护层，设置在支撑基底和半导体堆叠件之间，具有用于暴露半导体堆叠件的至少一个沟槽；反射金属层，位于保护层和支撑基底之间，填充所述至少一个沟槽而与半导体堆叠件欧姆接触，其中，反射金属层的边缘位于保护层和支撑基底之间，并且位于半导体堆叠件的边缘和支撑基底的边缘之间；以及阻挡金属层，位于支撑基底与反射金属层之间，并覆盖反射金属层的边缘，以围绕反射金属层，其中，所述至少一个沟槽的侧壁是倾斜的。
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