[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201610286426.7 | 申请日: | 2016-05-03 |
公开(公告)号: | CN105826328B | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
发明(设计)人: | 田允允;张慧;崔贤植 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1333;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置,涉及显示技术领域,能够解决采用梳状电极结构的阵列基板光透过率低的问题。其中所述阵列基板的制造方法包括:在衬底基板上依次形成第一导电薄膜和钝化层薄膜;采用一次构图工艺,去除待形成第一电极区域以外的钝化层薄膜和第一导电薄膜,形成钝化层的图形和第一电极的图形;在具有所述钝化层的图形和所述第一电极的图形的衬底基板上形成第二导电薄膜;采用一次构图工艺,去除待形成第二电极区域以外的第二导电薄膜,形成第二电极的图形。上述阵列基板的制造方法用于制造阵列基板。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述阵列基板的制造方法包括:在衬底基板上依次形成第一导电薄膜和钝化层薄膜;采用一次构图工艺,去除待形成第一电极区域以外的钝化层薄膜和第一导电薄膜,形成钝化层的图形和第一电极的图形;在具有所述钝化层的图形和所述第一电极的图形的衬底基板上形成第二导电薄膜;采用一次构图工艺,去除待形成第二电极区域以外的第二导电薄膜,形成第二电极的图形;所述第一电极和所述第二电极均为梳状电极,所述第一电极的多个梳齿在所述衬底基板上的垂直投影与所述第二电极的多个梳齿在所述衬底基板上的垂直投影交替排布,所述第一电极的多个梳齿在所述衬底基板上的垂直投影的端部与所述第二电极的梳柄部分在所述衬底基板上的垂直投影之间的间隙小于6μm,且所述第二电极的多个梳齿在所述衬底基板上的垂直投影的端部与所述第一电极的梳柄部分在所述衬底基板上的垂直投影之间的间隙小于6μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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