[发明专利]一种制备高纯硅的硅电解槽及其硅的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610286747.7 申请日: 2016-05-04
公开(公告)号: CN107345304B 公开(公告)日: 2019-07-23
发明(设计)人: 周东方;白斌;刘伟;付松 申请(专利权)人: 沈阳铝镁设计研究院有限公司
主分类号: C25B1/00 分类号: C25B1/00;C25B9/12;C25B15/00
代理公司: 沈阳圣群专利事务所(普通合伙) 21221 代理人: 张立新
地址: 110001 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及一种制备高纯硅的硅电解槽及其硅的制备方法。包括设在同一层面的阴极预热室、中间操作室和晶体硅冷却室三个操作室,在相邻的两个操作室之间设有折叠门,在中间操作室下方设有与其连通的电解反应室。在电解反应室内设有熔融电解质,在熔融电解质内设有阳极装置,阳极装置用于固定阳极极片,阳极极片通过阳极接线与直流供电系统正极连接。在阴极预热室、中间操作室和晶体硅冷却室内的上方设有轨道,轨道上设有移动的阴极移动装置,阴极移动装置上设有阴极母线,阴极母线下方通过阴极导杆连接阴极装置,阴极装置用于固定阴极极片。本发明具有工艺简单、操作方便、机械化和自动化程度高、环保节能等优点。
搜索关键词: 一种 制备 高纯 电解槽 及其 方法
【主权项】:
1.一种制备高纯硅的硅电解槽,其特征在于设在同一层面的阴极预热室、中间操作室和晶体硅冷却室三个操作室,在相邻的两个操作室之间设有折叠门,在中间操作室下方设有与其连通的电解反应室,在电解反应室内设有熔融电解质,在熔融电解质内设有阳极装置,阳极装置用于固定阳极极片,阳极极片通过阳极接线与直流供电系统正极连接,在熔融电解质的外侧设有内衬,内衬的外侧为槽壳;在阴极预热室、中间操作室和晶体硅冷却室内的上方设有轨道,轨道上设有移动的阴极移动装置,阴极移动装置上设有阴极母线,阴极母线下方通过阴极导杆连接阴极装置,阴极装置用于固定阴极极片;中间操作室上方设有阴极接线,生产时,阴极母线与阴极接线相连,阴极接线与直流供电系统负极相连;三个操作室外侧设有上部密封罩;三个操作室的上部密封罩顶部或侧部分别设有连通操作室内的保护气体排气装置、测温装置和气氛检测装置,每个操作室的上部密封罩的下部设有连通操作室内的保护气体进气装置。
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