[发明专利]非易失性存储器件有效
| 申请号： | 201610287152.3 | 申请日： | 2016-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN106611616B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 李杲泫;金镇浩;白智希;郑盛昱 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器件，可以包括：多个存储块，每个存储块包括漏极选择线、字线和源极选择线；以及传输晶体管级，包括多个传输晶体管，所述多个传输晶体管串联形成在有源区中且适用于将字线电压传送到多个存储块之中的响应于块选择信号而被选中的存储块，其中，每个传输晶体管在一侧与第一相邻传输晶体管共享漏极，而在另一侧与第二相邻传输晶体管共享源极，以及其中，共享源极的成对的传输晶体管经由源极将字线驱动信号从其漏极传送到成对的字线，所述成对的字线包括在存储块之中的不同的存储块中。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件，包括：多个存储块，每个存储块包括漏极选择线、字线和源极选择线；以及传输晶体管级，包括多个传输晶体管，所述多个传输晶体管串联形成在有源区中且适用于将字线电压传送到响应于块选择信号而被选中的存储块，每个传输晶体管与一侧的第一相邻传输晶体管共享漏极，且与另一侧的第二相邻传输晶体管共享源极，其中，共享源极的成对的传输晶体管将字线驱动信号从其漏极传送到成对的字线，所述成对的字线包括在与包含所述成对的传输晶体管的存储块不同的存储块中。
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