[发明专利]非挥发性存储单元及其制作方法在审
申请号: | 201610287623.0 | 申请日: | 2016-05-04 |
公开(公告)号: | CN105931993A | 公开(公告)日: | 2016-09-07 |
发明(设计)人: | 范德慈;陈志民;吕荣章 | 申请(专利权)人: | 北京芯盈速腾电子科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/8247 | 分类号: | H01L21/8247;H01L27/115 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郑裕涵 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经济技*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明揭露一种非挥发性存储单元及其制作方法,非挥发性存储单元包括一基板、一选择闸极、一抹除闸极、一浮动闸极、一耦合闸极以及一个或一个以上的介电层。基板包括一第一掺杂区及至少一第二掺杂区,且选择闸极设置于基板上,并位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。抹除闸极位于第一掺杂区上方,而浮动闸极则位于选择闸极以及抹除闸极之间。耦合闸极位于抹除闸极、浮动闸极及/或部份选择闸极的投影上方,而介电层用以作为绝缘层,位于相邻的选择闸极、抹除闸极、浮动闸极、耦合闸极或第一掺杂区之间。 | ||
搜索关键词: | 挥发性 存储 单元 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一種非挥发性存储单元,其特征在于,所述非挥发性存储单元包括:一基板,包括一第一掺杂区及至少一第二掺杂区,其中所述第一掺杂区与所述第二掺杂区相邻;一选择闸极,设置于所述基板上,并位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间;一抹除闸极,位于所述第一掺杂区上方;一浮动闸极,位于所述选择闸极以及所述抹除闸极之间;一耦合闸极,位于所述抹除闸极、所述浮动闸极以及部份选择闸极的投影上方;及一个或一个以上的介电层,用以作绝缘层,位于相邻的所述选择闸极、所述抹除闸极、所述浮动闸极、所述耦合闸极或所述第一掺杂区之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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