[发明专利]非挥发性存储单元及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201610287623.0 申请日: 2016-05-04
公开(公告)号: CN105931993A 公开(公告)日: 2016-09-07
发明(设计)人: 范德慈;陈志民;吕荣章 申请(专利权)人: 北京芯盈速腾电子科技有限责任公司
主分类号: H01L21/8247 分类号: H01L21/8247;H01L27/115
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 郑裕涵
地址: 100176 北京市大兴区北京经济技*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明揭露一种非挥发性存储单元及其制作方法,非挥发性存储单元包括一基板、一选择闸极、一抹除闸极、一浮动闸极、一耦合闸极以及一个或一个以上的介电层。基板包括一第一掺杂区及至少一第二掺杂区,且选择闸极设置于基板上,并位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。抹除闸极位于第一掺杂区上方,而浮动闸极则位于选择闸极以及抹除闸极之间。耦合闸极位于抹除闸极、浮动闸极及/或部份选择闸极的投影上方,而介电层用以作为绝缘层,位于相邻的选择闸极、抹除闸极、浮动闸极、耦合闸极或第一掺杂区之间。
搜索关键词: 挥发性 存储 单元 及其 制作方法
【主权项】:
一種非挥发性存储单元,其特征在于,所述非挥发性存储单元包括:一基板,包括一第一掺杂区及至少一第二掺杂区,其中所述第一掺杂区与所述第二掺杂区相邻;一选择闸极,设置于所述基板上,并位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间;一抹除闸极,位于所述第一掺杂区上方;一浮动闸极,位于所述选择闸极以及所述抹除闸极之间;一耦合闸极,位于所述抹除闸极、所述浮动闸极以及部份选择闸极的投影上方;及一个或一个以上的介电层,用以作绝缘层,位于相邻的所述选择闸极、所述抹除闸极、所述浮动闸极、所述耦合闸极或所述第一掺杂区之间。
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