[发明专利]无损伤无污染的石墨烯器件的制造方法在审
| 申请号： | 201610287852.2 | 申请日： | 2016-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN105931966A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 李佳;芦伟立;房玉龙;尹甲运;王波;张志荣;郭艳敏 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 陆林生 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无损伤无污染的石墨烯器件的制造方法，涉及半导体技术领域。本发明包括以下步骤：一、在衬底上形成源极、栅极、漏极；二、在带有电极的衬底上生长所需的介质材料；三、在步骤二上生长石墨烯。本发明是先制作石墨烯器件工艺中所需的电极、介质等，最后生长石墨烯材料，形成石墨烯器件，避免了石墨烯材料在器件加工过程中受损和污染，提高石墨烯器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 损伤 无污染 石墨 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种无损伤无污染的石墨烯器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：一、在衬底（1）上形成电极；二、在带有电极的衬底（1）上生长介质材料（5)；三、最后生长石墨烯(6)，制得石墨烯器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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