[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610287986.4 | 申请日： | 2016-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN105826483A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 刘佳;曹蔚然;杨一行;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法。制备方法包括步骤：A、在ITO基板上旋涂一层非酸性亲油性有机物，然后进行加热退火；B、在所述非酸性亲油性有机物表面旋涂PEDOT:PSS作为空穴注入层，然后进行加热退火；C、在空穴注入层上旋涂一层空穴传输材料作为空穴传输层，然后进行热处理；D、将量子点发光层沉积在空穴传输层表面，然后进行热处理；E、在量子点表面依次沉积电子传输层和电子注入层；F、在沉积完各功能层的ITO基板上蒸镀阴极。通过本发明，省去了制作过程中紫外氧化处理和氧气等离子处理等工序，简化了工艺步骤。并且能够更好地陷入空穴，增强空穴注入能力，从而提高QLED发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、在ITO基板上旋涂一层非酸性亲油性有机物，然后进行加热退火；B、在所述非酸性亲油性有机物表面旋涂PEDOT:PSS作为空穴注入层，然后进行加热退火；C、在空穴注入层上旋涂一层空穴传输材料作为空穴传输层，然后进行热处理；D、将量子点发光层沉积在空穴传输层表面，然后进行热处理；E、在量子点表面依次沉积电子传输层和电子注入层；F、在沉积完各功能层的ITO基板上蒸镀阴极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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