[发明专利]新型MOSFET封装结构及其晶圆级制作方法

摘要

本发明公开了一种新型MOSFET封装结构及其晶圆级制作方法，该封装结构包括MOSFET芯片，该MOSFET芯片正面包含有源极、栅极，背面包含有漏极，源极和栅极分别电性连接MOSFET芯片正面的第二导电体和第三导电体，一金属薄片和MOSFET芯片背面漏极通过导电材料粘结在基板上的导电层上，并在金属薄片上制作第一导电体，MOSFET芯片漏极通过导电层、导电材料、金属薄片连接MOSFET芯片正面的第一导电体。这样，可将垂直结构的MOSFET背面漏极电流引至MOSFET的正面，实现源极、栅极、漏极电性在同一侧面，以便进行晶圆级封装，且大面积导电层保证了芯片良好的散热效果；避免硅通孔TSV制程，简化了工艺步骤，降低了封装成本。

主权项

一种新型MOSFET封装结构，其特征在于，包括基板(100)、MOSFET芯片(400)和金属薄片(500)，所述MOSFET芯片正面包含有源极(401)和栅极(402)，所述MOSFET芯片背面包含有漏极(403)，所述基板上形成有导电层(200)，所述MOSFET芯片的背面与所述金属薄片的背面均贴装在所述基板上的导电层上，所述金属薄片、所述MOSFET芯片正面的源极及栅极上均形成有与外部互连的导电体；所述基板上的MOSFET芯片和金属薄片的导电体以外部分由非导电材料(700)包封。