[发明专利]半导体制程及其制程设备与控制装置在审
申请号: | 201610289162.0 | 申请日: | 2016-05-04 |
公开(公告)号: | CN107346749A | 公开(公告)日: | 2017-11-14 |
发明(设计)人: | 魏莹璐;雷鸣;林生元;黄泰维;陈晓葳 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 马雯雯,臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体制程及其制程设备与控制装置。其中半导体制程包括对第一晶圆进行第一制程步骤;在完成所述第一制程步骤后,依据所述第一晶圆的实际表面形貌信息获取第一不可校正误差信息;以及,依据所述第一不可校正误差信息来调整所述第一制程步骤的制程参数。本发明更提出适用此半导体制程的制程设备与控制装置。本发明有助于减少制程步骤后续产生的不可校正误差,实时反馈制程误差,实现半导体制程的在线实时监测,有效提高制程良率。 | ||
搜索关键词: | 半导体 及其 设备 控制 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体制程,其特征在于,包括:对第一晶圆进行第一制程步骤;在完成所述第一制程步骤后,依据所述第一晶圆的实际表面形貌信息获取第一不可校正误差信息;以及依据所述第一不可校正误差信息来调整所述第一制程步骤的制程参数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造