[发明专利]PIN光电二极管的制作方法

摘要

本发明实施例提供一种PIN光电二极管的制作方法。该方法包括：在第三氧化层、第一氧化层、接触孔、第二氧化层的上表面涂覆第一负光刻胶，并对第一负光刻胶的曝光区域进行曝光、显影去除非曝光区域的第一负光刻胶形成多段相互分离的第二负光刻胶，每个第二负光刻胶的横向宽度在预设宽度范围内，接触孔位于两个第二负光刻胶之间，且两个第二负光刻胶之间的距离大于接触孔的孔径。本发明实施例通过两步去除金属层，第一步采用剥离液去除第二负光刻胶，以去除金属层，第二步采用混合溶液腐蚀钛层，以剥离掉钛层上的铝硅铜层，经过两步处理后第二氧化层即P‑区上面的氧化层完整无损，保证P‑区氧化层的透光性良好，提高了PIN光电二极管的性能。

主权项

1.一种PIN光电二极管的制作方法，其特征在于，包括：在硅衬底的上表面生长第一氧化层；在所述硅衬底中形成P‑区，并在所述P‑区的上表面生成第二氧化层；在所述硅衬底中形成N+区，并在所述N+区的上表面生长第三氧化层；对预设区域的部分第二氧化层进行光刻、刻蚀以露出所述预设区域对应的硅衬底形成接触孔；在所述第三氧化层、所述第一氧化层、所述接触孔、所述第二氧化层的上表面涂覆第一负光刻胶，并对所述第一负光刻胶的曝光区域进行曝光、显影去除非曝光区域的第一负光刻胶形成多段相互分离的第二负光刻胶，每个所述第二负光刻胶的横向宽度在预设宽度范围内，所述接触孔位于两个第二负光刻胶之间，且所述两个第二负光刻胶之间的距离大于所述接触孔的孔径；在各个所述第二负光刻胶的上表面，以及俯视所述PIN光电二极管的方向上所述第二负光刻胶的上表面覆盖不到的所述第三氧化层、所述接触孔、所述第二氧化层的表面依次生长钛层和铝硅铜层；采用剥离液去除所述第二负光刻胶，以去除所述第二负光刻胶上表面的钛层和铝硅铜层；采用混合溶液腐蚀钛层，以使除所述接触孔对应的钛层外其他钛层被腐蚀掉。