[发明专利]存储单元的制备方法有效
| 申请号： | 201610291844.5 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN107359163B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 叶晓;金凤吉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储单元的制备方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成第一多晶硅；在第一多晶硅上形成多层膜结构，多层膜结构由多层氧化硅和多层氮化硅依次交替层叠形成，其中，多层膜结构包括至少两层氧化硅以及至少两层氮化硅；选择性刻蚀多层膜结构以及所述第一多晶硅，剩余的部分第一多晶硅形成间隔的选择栅和浮栅，剩余的多层膜结构分别位于选择栅和浮栅上；以及在浮栅上的多层膜结构上形成控制栅。本发明的存储单元中，当电子存储在浮栅中时，电子更难以穿过多层膜结构，从而存储单元的数据存储能力更强。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种存储单元的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一多晶硅；在所述第一多晶硅上形成多层膜结构，所述多层膜结构由多层氧化硅和多层氮化硅依次交替层叠形成，其中，所述多层膜结构包括至少两层氧化硅以及至少两层氮化硅；选择性刻蚀所述多层膜结构以及所述第一多晶硅，剩余的部分所述第一多晶硅形成间隔的选择栅和浮栅，剩余的所述多层膜结构分别位于所述选择栅和浮栅上；以及在所述浮栅上的多层膜结构上形成控制栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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