[发明专利]一种图像传感器结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种图像传感器结构及其制作方法，通过在CMOS图像传感器结构中环绕接触下电极设置导电屏蔽环，形成电场隔离，可利用施加在其上的电压限制光敏量子点薄膜中光生载流子的流动方向，将连续的薄膜分成不同的区域，从而降低了像素间串扰；同时，通过施加不同的屏蔽电压还可以改变分隔所成区域的大小，适应不同的应用场景，从而取得分辨率和灵敏度的平衡；本发明结构简单，制作时可不增加额外工艺步骤与成本，且抗串扰效果显著。

主权项

1.一种图像传感器结构，其特征在于，自下而上包括：半导体衬底，其采用标准CMOS工艺制作有晶体管、悬浮电容及其之间的通孔和金属互连线；接触下电极，其按间隔的水平阵列式分布，并与像素对应；导电屏蔽环，与接触下电极同层设置，并环绕每个接触下电极间隔分布，所述导电屏蔽环通过金属互连线引出；光敏量子点薄膜，覆盖在接触下电极和导电屏蔽环上；以及透明导电上电极薄膜，覆盖在光敏量子点薄膜上；其中，通过设置导电屏蔽环，形成电场隔离，利用施加在其上的电压限制光敏量子点薄膜中光生载流子的流动方向，将连续的光敏量子点薄膜分成不同的区域，从而降低像素间串扰；同时，通过施加不同的屏蔽电压，改变分隔所成区域的大小，适应不同的应用场景，从而取得分辨率和灵敏度的平衡。