[发明专利]鳍式场效应管的形成方法

摘要

一种鳍式场效应管的形成方法，包括在NMOS区域的鳍部上形成第一掩膜层；刻蚀去除位于NMOS区域栅极结构两侧的鳍部顶部上的第一掩膜层，暴露出NMOS区域栅极结构两侧的鳍部顶部，且还刻蚀去除NMOS区域的部分厚度鳍部，刻蚀后的NMOS区域鳍部与第一掩膜层构成第一凹槽；对NMOS区域鳍部上的第一掩膜层侧壁进行减薄处理；形成填充满第一凹槽的原位掺杂外延层。本发明增加了第一凹槽的体积容量，使得相应形成的N型源漏的电阻减小，另外N型源漏掺杂区表面积也会增加，使得金属硅化物与N型源漏掺杂区的接触电阻也会相应减小，从而提高形成的鳍式场效应管的性能。

主权项

一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供包括NMOS区域的衬底，所述衬底上形成有分立的鳍部，所述衬底上还形成有覆盖鳍部侧壁的隔离结构，且所述隔离结构顶部低于鳍部顶部；在所述隔离结构上形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部，且覆盖鳍部的部分顶部和侧壁；在所述NMOS区域的鳍部顶部和侧壁上形成第一掩膜层；刻蚀去除位于所述NMOS区域栅极结构两侧的鳍部顶部上的第一掩膜层，暴露出NMOS区域栅极结构两侧的鳍部顶部表面，且还刻蚀去除所述NMOS区域的部分厚度鳍部，刻蚀后的NMOS区域鳍部与所述第一掩膜层构成第一凹槽；在形成所述第一凹槽之后，对所述NMOS区域鳍部上的第一掩膜层侧壁进行减薄处理，所述减薄处理适于增加所述第一凹槽的宽度尺寸；形成填充满所述第一凹槽的原位掺杂外延层，所述原位掺杂外延层的掺杂离子为N型离子。