[发明专利]一种单芯片双向IGBT单管的封装结构在审
| 申请号： | 201610292328.4 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN105914196A | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 曾重;敖杰;王俊;沈征 | 申请（专利权）人： | 江西中能电气科技股份有限公司;湖南大学 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 郝瑞刚 |
| 地址： | 338004 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单芯片双向IGBT单管的封装结构，其包括单芯片双向IGBT器件、底部金属板、外部引脚和绝缘外壳；底部金属板覆盖并紧贴单芯片双向IGBT器件的第二发射极区设置；底部金属板与第二门极区保持适当绝缘间距；单芯片双向IGBT器件的各个发射区和门极区分别与对应的外部引脚连接；绝缘外壳包裹在单芯片双向IGBT器件的外围，底部金属板的下表面外露。本发明解决了单芯片双向IGBT器件“两个电极共面”这一特点带来的不易封装的问题；使单芯片双向IGBT单管的外形、封装工艺与传统分立式逆阻型IGBT单管相兼容，与由两只逆阻型IGBT单管构成的双向开关相比，功率密度更高，非常适用于高性能电力电子装置与系统，如矩阵式变换器等，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 双向 igbt 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种单芯片双向IGBT单管的封装结构，其特征在于，其包括单芯片双向IGBT器件、底部金属板、外部引脚和绝缘外壳；底部金属板覆盖并紧贴单芯片双向IGBT器件的第二发射极区设置；底部金属板与第二门极区保持绝缘间距；单芯片双向IGBT器件的第一门极、第一发射极、第二门极和第二发射极分别与对应的第一门极引脚、第一发射极引脚、第二门极引脚和第二发射极引脚连接；绝缘外壳包裹在单芯片双向IGBT器件的外围，底部金属板的下表面外露。
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