[发明专利]氮化物半导体紫外线发光元件的制造方法有效
| 申请号： | 201610292860.6 | 申请日： | 2011-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN105742442B | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 西瑞尔·佩诺特;平野光 | 申请（专利权）人： | 创光科学株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/16;H01L33/38 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 韩聪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体紫外线发光元件的制造方法，其包括：使AlN层在蓝宝石(0001)基板的(0001)面上结晶生长，形成包括所述基板和所述AlN层的基底结构部的工序；以及在所述基底结构部的结晶表面上，形成发光元件结构部的工序，所述发光元件结构部包含n型AlGaN系半导体层的n型包覆层、具有AlGaN系半导体层的活性层、和p型AlGaN系半导体层的p型包覆层，所述基板的(0001)面以0.6°以上且3.0°以下的偏离角发生倾斜，所述n型包覆层的AlN摩尔分数为50％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 紫外线 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体紫外线发光元件的制造方法，所述氮化物半导体紫外线发光元件的发光波长为200nm至365nm，所述氮化物半导体紫外线发光元件的制造方法的特征在于，包括：使AlN层在蓝宝石(0001)基板的(0001)面上结晶生长，形成包括所述基板和所述AlN层的基底结构部的工序；以及在所述基底结构部的结晶表面上，形成发光元件结构部的工序，所述发光元件结构部包含n型AlGaN系半导体层的n型包覆层、具有AlGaN系半导体层的活性层、和p型AlGaN系半导体层的p型包覆层，所述基板的(0001)面以0.6°以上且3.0°以下的偏离角发生倾斜，所述n型包覆层的AlN摩尔分数为50％以上。
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