[发明专利]一种纯化SiC粉料晶体结构与改善其圆整度的方法

摘要

本发明涉及一种纯化SiC粉料晶体结构与改善其圆整度的方法，包括以下步骤：a、将SiC粉料置于高温箱式电阻炉中，升温至1300～1600℃于空气中煅烧3～7h后，随炉冷却至室温；b、加入混合酸搅拌10～12h后，静置12～24h，用去离子水清洗至pH值为7.0后烘干；c、将SiC粉料置于高温烧结炉中，升温至1800～2200℃于氩气中煅烧3～7h，随炉冷却至室温；d、加入混合酸中搅拌10～12h，静置12～24h，去离子水清洗至pH值为7.0后于烘干。本发明的方法提高SiC晶体的结晶度，改善SiC颗粒的异构体现象，从而降低晶体结构和几何外形等缺陷对后续所制备的SiC/Al复合材料性能影响。

主权项

1.一种纯化SiC粉料晶体结构与改善其圆整度的方法，其特征在于：包括以下步骤：a、将SiC粉料置于高温箱式电阻炉中，升温至1300～1600℃于空气中煅烧3～7h后，随炉冷却至室温；b、将按a步骤处理的SiC粉料加入混合酸搅拌10～12h后，静置12～24h，用去离子水清洗至pH值为7.0后烘干；c、将经b步骤酸洗烘干后的SiC粉料置于高温烧结炉中，升温至1800～2200℃于氩气中煅烧3～7h，随炉冷却至室温；d、将按c步骤处理的SiC粉料加入混合酸中搅拌10～12h，静置12～24h，去离子水清洗至pH值为7.0后烘干；其中，步骤b、d中的混合酸是由去离子水、HF、HCl、HNO3配置而成；步骤b中的混合酸是由去离子水、浓度为40％HF、浓度为37.5％HCl、浓度为65％～68％的HNO3制备而成，其体积配比为100：(20～60)：30：10；步骤d中的混合酸是由去离子水、浓度为40％HF、浓度为37.5％HCl、浓度为65％～68％的HNO3制备而成，其体积配比为100：(10～40)：30：10。