[发明专利]一种高质量p型氧化亚铜薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种高质量p型氧化亚铜薄膜的制备方法，其步骤如下：将铜片清洗后用氮气吹干；再放在管式炉的石英管内，通入氩气做保护气体，以15℃/min的速度升温至1050‑1100℃，并保温一个小时；1050‑1100℃下，通入空气将铜片氧化，保温一个小时；然后1050‑1100℃下，再次使用氩气将空气赶出，氩气氛围下保温两个小时；最后在氩气保护下，以10℃/min的速度降温至500℃，然后自然冷却至室温，获得高质量p型氧化亚铜薄膜。本发明获得的氧化亚铜具有晶粒尺寸大，载流子迁移率达到60cm²/V·s以上。本发明操作简便，结果稳定，可获得高质量的氧化亚铜薄膜。

主权项

一种高质量p型氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，该方法的制备步骤如下：1)将纯度为99.999％，厚度为0.01‑0.2mm的铜片裁剪为实际需要的大小，使用质量分数为20％的硝酸溶液清洗30s，然后用去离子水冲洗干净，用氮气吹干备用；2)将上述铜片置于石英舟中再放入管式炉中，先用机械泵抽出空气，然后通入氩气，重复几次直至空气完全排除，保持氩气氛围，以15℃/min的速度升温至1050‑1100℃，保温一个小时；3)在1050‑1100℃温度下，通入空气，保温一个小时；4)在1050‑1100℃温度下，如步骤2)中再次排出空气，通入氩气保护，保温两个小时；5)在氩气保护下，以10℃/min的速度降温至500℃，然后自然冷却至室温取出，得到高质量p型氧化亚铜薄膜。