[发明专利]晶圆凸块的制备方法在审
| 申请号： | 201610292986.3 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN107346742A | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 孟津 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 300385 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的一种晶圆凸块的制备方法，包括提供半导体衬底，半导体衬底表面包括具有多个开口的层间介质层，所述开口中具有底层金属层；在所述开口中涂覆助焊剂，所述助焊剂中具有颜色与所述底层金属层的颜色不同的颜料；对所述多个开口中的所述助焊剂的涂覆情况进行检测；在所述开口中形成锡球，对所述锡球进行一热处理过程，所述锡球形成球冠状的凸块。本发明中，利用颜料与底层金属层之间的颜色差异，在对助焊剂进行监测时，可以根据开口位置上的颜色来判断底层金属层上的助焊剂是否涂覆完好。在助焊剂涂覆之后，对助焊剂的涂覆情况进行检测，从而防止由于涂覆的偏差导致锡球在底层金属层上的错位、缺失或相连等问题，提高晶圆凸块的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆凸块 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆凸块的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面包括具有多个开口的层间介质层，所述开口中具有底层金属层；在所述开口中涂覆助焊剂，所述助焊剂中具有颜色与所述底层金属层的颜色不同的颜料；对所述多个开口中的所述助焊剂的涂覆情况进行检测；在所述开口中形成锡球，对所述锡球进行一热处理过程，所述锡球形成球冠状的凸块。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610292986.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：散热模块及其组装方法
- 下一篇：一种用于重型槽的液压升降式搅拌机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
