[发明专利]一种互连结构的处理方法在审
| 申请号： | 201610293002.3 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN107346760A | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 贾照伟;夏选;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种互连结构的处理方法，包括以下步骤提供互连结构，该互连结构包括阻挡层、金属层、掩膜层和介质层，其中，介质层包含低K或超低K材料；采用化学机械研磨工艺去除阻挡层上的金属层，直至金属层上表面与阻挡层上表面齐平；采用无应力抛光工艺去除金属层，直至金属层上表面与掩膜层下表面齐平；采用化学气相刻蚀工艺去除阻挡层和掩膜层，直至暴露出介质层上表面。本发明所述的互连结构的处理方法既能够去除互连结构相应的膜层，同时不会对互连结构造成破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互连 结构 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种互连结构的处理方法，其特征在于，该互连结构包括阻挡层(101)、金属层(102)、掩膜层(103)和包含低K或超低K材料的介质层(104)，该处理方法包括以下步骤：采用化学机械研磨工艺去除阻挡层(101)上的金属层(102)，直至金属层(102)上表面与阻挡层(101)上表面齐平；采用无应力抛光工艺去除切槽区的金属层(102)，直至金属层(102)上表面与掩膜层(103)下表面齐平；采用化学气相刻蚀工艺去除阻挡层(101)和掩膜层(103)，直至暴露出介质层(104)上表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于盛美半导体设备(上海)有限公司，未经盛美半导体设备(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610293002.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型的用于打浆的化工设备搅拌机
- 下一篇：鳍式场效应管的形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
