[发明专利]微电子结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610293052.1 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN107346780B | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;张汝京 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 金华 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种微电子结构及其形成方法。该微电子结构的形成方法，包括在一衬底上形成多个掺杂区域，并选择性地在掺杂区域上形成一石墨烯层。此石墨烯层包括至少一层石墨烯结构，且具有大于300meV的能隙。由此获得的微电子结构应用高能隙的石墨烯材料，可提升其电子特性。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微电子结构，其特征在于，包括：/n一衬底，其上形成多个微电子组件，且该些微电子组件分别包括一石墨烯层、一第一电极、一第二电极及一第三电极，其中，该第一电极及该第二电极位于该石墨烯层上且直接接触该石墨烯层的两端，该石墨烯层与该衬底之间以一第一绝缘层间隔，该第三电极与该石墨烯层之间以一第二绝缘层间隔，该石墨烯层具有大于300meV的能隙，且该第二绝缘层包括多个隔离层定义出该些微电子组件的范围。/n
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